一、闪存是什么意思1、存储闪存(flashmemory)是长寿命的非易失性存储器(即使关闭电源也可以保持存储的数据信息)，数据删除不是以单...
一、闪存是什么意思
1、存储
闪存(flashmemory)是长寿命的非易失性存储器(即使关闭电源也可以保持存储的数据信息)，数据删除不是以单一字节为单位，而是以固定块为单位进行(注意：norflash是以字节为单位进行存储的)。块大小通常在256kb到20mb之间。
2.闪存通常用于保存设置信息。
闪存是电子可擦除只读存储器(eeprom)的变种，闪存与eeprom不同，eeprom可以在字节级而不是芯片整体的写入进行删除和改写，闪存的大部分芯片由于即使关闭电源也可以保存数据，闪存通常用于保存电脑的bios(基本程序)、pda(个人数字助理)、将数据保存到数码相机等设定信息。
3.闪存是非易失性存储器
切断电源不会导致数据丢失。闪存不像ram(随机存取存储器)那样以字节为单位改写数据，因此不能代替ram。闪存卡是利用闪存技术存储电子信息的存储器，在数码相机、掌上电脑、mp3等小型数字产品中用作存储介质，因此小型如卡，被称为闪存卡。
4、种类
根据制造商和应用程序的不同，闪存卡有smartmedia(sm卡)、compactflash(cf卡)、multimediacc卡(mc卡)、securedigital(sd卡)
5、nor型和nand型闪存的区别
nor型和nand型闪存区别很大，例如nor型闪存就像存储器，有独立的地址线和数据线，但价格高，容量小。nand型与硬盘类似，地址线和数据线是共同的i/o线，与硬盘类似的所有信息都通过一条硬盘线传输，而且nand型与nor型闪存相比成本低，容量大
二、闪存应用前景
1、“优盘”是闪存进入日常生活最明显的描述，其实在u盘之前，闪存已经出现在很多电子产品中。传统的存储数据方式采用ram的易失性存储器，电池没电时会丢失数据。使用闪存的产品可以克服这个缺点，使数据存储更可靠。除了闪存键之外，闪存还用于电脑bios、pda、数码相机、录音笔、手机、数字电视、游戏机等电子产品。
追溯到1998年，优盘进入市场。接口从usb1.0发展到2.0，然后发展到最新的usb3.0，速度在加快。usb存储器的普及间接促进了usb接口的普及。为什么u盘这么受欢迎呢？
3.闪存驱动器可以用于在电脑之间交换数据。从容量上讲，闪存驱动器的容量可以从16mb选择到64gb，突破了软盘驱动器的1.44mb的极限。在读写速度方面，闪存驱动器采用usb接口，读写速度比软盘快很多。
4.从稳定性方面考虑，闪存驱动器没有机械读写装置，避免了移动硬盘的损伤、掉落等原因引起的破损。有些型号的闪存驱动器具有加密等功能，用户可以更加自定义。闪存驱动器体积小，便于携带。此外，由于采用了热插拔usb连接器，因此使用方便。
5.闪存向大容量、低功耗、低成本的方向发展。与以往的硬盘相比，闪存读写速度高，功耗低，市场上已经出现了闪存硬盘，即ssd硬盘，随着制造工艺的提高、成本的降低，闪存在日常生活中
三、闪存发展过程
1.提出概念
1984年，东芝发明者舛冈富士雄首先提出了闪存(这里简称为闪存)的概念。与以往的计算机存储器不同，闪存的特征是非易失性的(即，存储的数据即使主体的电源关闭也不会丢失)，其记录速度也非常快。
2、nor闪存
英特尔是世界上第一家生产闪存并投入市场的公司。1988年，公司推出了256kbit闪存芯片。大得像鞋盒，嵌在录音机里。然后，将intel发明的这种闪存统称为nor闪存。eprom(可擦除可编程只读存储器)和eeprom(电可擦除可编程只读存储器)两种技术组合，具有sram接口。
3、nand闪存
第二个闪存被称为nand闪存。日立公司于1989年开发，被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写入周期比nor闪存短90%，保存和删除处理的速度也比较快。nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中提高了nand的性能。鉴于nand的出色表现，它经常被用于compactflash、smartmedia、sd、mmc、xd、andpccards、usbsticks等存储卡。
四、发展历史
与许多寿命短的信息技术相比，闪存在其16年的发展过程中，充分展示了“前辈”的做法。90年代初，闪存首次进入市场。到2000年，利润额突破了10亿美元。英飞凌科技闪存部门主任，彼得说：“关于闪存的生命周期，我们还处于上升阶段。”英飞凌相信闪存的销售依然有上升的余地，正在考虑投资这个市场。英飞凌宣布，位于德累斯顿的200mmdram工厂已经开始生产512mbnand兼容闪存芯片。到2004年底，英飞凌公司计划采用170纳米的制造技术，每月制造10，000片以上的晶片。2007年，该公司希望在nand市场上名列前三。
5、今后发展
另外，intel技术和制造集团的副总裁stefanlai认为闪存到2008年是不可替代的。2006年，英特尔首先采用65纳米技术。预计到2008年，正在开发的下一代45纳米技术将投入市场。stefanlai认为预测还比较浅，有可能实现32纳米、22纳米的技术。但stefanlai也承认，从2008年到2010年，新技术可能会被替代。
